しらさぎプロジェクト大学開放特許データベース(単願&発明者検索)

特許詳細
出願番号 2014-105646
登録番号 6356486
国際特許分類 H01L 27/105,H01L 45/00,H01L 49/00,H01L 21/8246
発明名称 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法
出願人又は権利者 金沢大学
研究者
研究分野 製造デバイス
用途 デバイス装置
要約 課題 強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。
要約 解決手段 抵抗変化型メモリ100は、強誘電体層1と、第1電極層3と、第2電極層5と、を備える。強誘電体層1は、BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成される。第1電極層3は、強誘電体層1の第1主面P1上に、強誘電体層1の分極により変化する第1エネルギー障壁E1、E1’、E1’’を有するように形成される。第2電極層5は、強誘電体層1の第2主面P2上に、強誘電体層1の分極により変化する第2エネルギー障壁E2、E2’、E2’’を有するように形成される。
問い合わせ先 金沢大学
先端科学・イノベーション推進機構
076-264-6111
金沢大学先端科学・イノベーション推進機構
更新日 2017/12/01